Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPN22006NH,LQ
Zdjęcie tylko w celach informacyjnych. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej zdjęć
TPN22006NH,LQ
| EXSHINE Part Number: | EX-TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Producent Part Number: | TPN22006NH,LQ |
| Producent / Marka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Krótki opis: | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Stan ołowiu / status RoHS: | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Stan: | New and unused, Original |
| Pobierz arkusz danych: | TPN22006NH |
| Podanie: | - |
| Waga: | - |
| Alternatywna wymiana: | - |
Dostępność w czasie rzeczywistym dla
TPN22006NH,LQ
Na stanie: 33795000 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
Na stanie: 33795000 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
- Opis
- Zapłata
- Wysyłka
- Opakowanie
Parametr produktu
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Seria | U-MOSVIII-H |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Strata mocy (max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Inne nazwy | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 12 Weeks |
| Numer części producenta | TPN22006NH,LQ |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Rozszerzony opis | N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 60V |
| Opis | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Inni
| Standardowy pakiet | 3,000 |
|---|---|
| Inne nazwy | TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ TPN22006NHLQTR |
Możesz wybrać poniższe opcje płatności. W razie jakichkolwiek pytań prosimy o kontakt z naszym zespołem sprzedaży.
|
|
T / T (przelew bankowy) Otrzymywanie: 1-4 dni. |
|
|
Paypal Odbieranie: natychmiast. |
|
|
Western Union Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
MoneyGram Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
Alipay Odbieranie: natychmiast. |
Możesz wybrać poniższe opcje wysyłki, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży, aby sprawdzić koszty wysyłki na swój adres.
Jeśli nie chcesz korzystać z naszej usługi wysyłkowej, możesz również zorganizować odbiór z naszego magazynu lub wysyłkę za pomocą konta kuriera.
 |
DHL EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
FEDEX EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
UPS EXPRESS Czas dostawy: 2-4 dni. |
 |
TNT EXPRESS Czas dostawy: 3-6 dni. |
 |
EMS EXPRESS Czas dostawy: 7-10 dni. |
Powiązany produkt
-
ObrazekMfg. Numer częściProducenciKrótki opisDane techniczneW magazynieCena przedmiotuZamówienie online -
TPN302STTPN302 ST SOP-8 New Original StocksWidokZapytanie ofertowe -
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSONPobieranieWidokUS$ 0.635Zapytanie ofertowe -
TPN1600ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADVPobieranieWidokUS$ 0.47Zapytanie ofertowe -
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONPobieranieWidokUS$ 0.321Zapytanie ofertowe -
TPN2R203NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 45A 8-TSONPobieranieWidokUS$ 0.48Zapytanie ofertowe -
TPN14006NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADVPobieranieWidokUS$ 0.326Zapytanie ofertowe -
TPN3021DRLSTLow Price TPN3021DRL ST SOP-8WidokZapytanie ofertowe -
TPN2R304PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 40V 80A TSONPobieranieWidokUS$ 0.272Zapytanie ofertowe -
TPN1R603PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPobieranieWidokUS$ 0.525Zapytanie ofertowe -
TPN3021RLSTMicroelectronicsTHYRISTOR 28V 100A 8SOICPobieranieWidokUS$ 0.956Zapytanie ofertowe -
TPN302 .STMLow Price TPN302 . STM SOP-8WidokZapytanie ofertowe -
TPN3021STMicroelectronicsOVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOICPobieranieWidokUS$ 1.018Zapytanie ofertowe -
TPN2R503NC,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADVPobieranieWidokUS$ 0.545Zapytanie ofertowe -
TPN11006NL,LQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 60V 17A 8TSONPobieranieWidokUS$ 0.293Zapytanie ofertowe -
TPN2R703NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 45A 8-TSONPobieranieWidokUS$ 0.426Zapytanie ofertowe -
TPN120NSTNew Stocks TPN120N ST SOP-8WidokZapytanie ofertowe -
TPN13008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 80V 40A 8TSONPobieranieWidokUS$ 0.372Zapytanie ofertowe -
TPN140227A00AMITPN140227A00 AMI QFP New in stockWidokZapytanie ofertowe -
TPN1110ENH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSONPobieranieWidokUS$ 0.617Zapytanie ofertowe -
TPN1302ORIGINALLow Price TPN1302 ORIGINAL SMD or Through HoleWidokZapytanie ofertowe
Dystrybutor Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. tworzy wydajne analogowe układy scalone (IC), które rozwiązują krytyczne problemy firm elektronicznych. Nasze autorskie produkty oferują unikalne połączenie cech i wydajności, których nie można znaleźć w innym miejscu na rynku analogowym. Nasze produkty z drugiego źródła są kompatybilne z pinami i są identyczne z konkurencyjną ofertą, stanowiąc idealną alternatywę dla trudnych do zabezpieczenia produktów pochodzących z wyłącznych źródeł. Założona w 2010 roku firma Touchstone ma siedzibę w Milpitas w Kalifornii. Jej inwestorami są Opus Capital i Khosla Ventures.
Naszą misją w Touchstone Semiconductor jest projektowanie wydajnych analogowych układów scalonych, które pomagają rozwiązać problemy klientów. Robimy to poprzez opracowanie ultra wydajnych analogowych układów scalonych o bardzo niskiej mocy, które zmniejszają zużycie energii w twoich produktach.