Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPH3R203NL,L1Q
Zdjęcie tylko w celach informacyjnych. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej zdjęć
TPH3R203NL,L1Q
| EXSHINE Part Number: | EX-TPH3R203NL,L1Q |
|---|---|
| Producent Part Number: | TPH3R203NL,L1Q |
| Producent / Marka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Krótki opis: | MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP |
| Stan ołowiu / status RoHS: | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Stan: | New and unused, Original |
| Pobierz arkusz danych: | TPH3R203NL |
| Podanie: | - |
| Waga: | - |
| Alternatywna wymiana: | - |
Dostępność w czasie rzeczywistym dla
TPH3R203NL,L1Q
Na stanie: 67127000 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
Na stanie: 67127000 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
- Opis
- Zapłata
- Wysyłka
- Opakowanie
Parametr produktu
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 300µA |
|---|---|
| Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 8-SOP Advance (5x5) |
| Seria | U-MOSVIII-H |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 3.2 mOhm @ 23.5A, 10V |
| Strata mocy (max) | 1.6W (Ta), 44W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Inne nazwy | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 16 Weeks |
| Numer części producenta | TPH3R203NL,L1Q |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2100pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Rozszerzony opis | N-Channel 30V 47A (Tc) 1.6W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 30V |
| Opis | MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
Inni
| Standardowy pakiet | 5,000 |
|---|---|
| Inne nazwy | TPH3R203NL,L1Q(M TPH3R203NL,L1QTR TPH3R203NL,L1QTR-ND TPH3R203NLL1QTR |
Możesz wybrać poniższe opcje płatności. W razie jakichkolwiek pytań prosimy o kontakt z naszym zespołem sprzedaży.
|
|
T / T (przelew bankowy) Otrzymywanie: 1-4 dni. |
|
|
Paypal Odbieranie: natychmiast. |
|
|
Western Union Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
MoneyGram Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
Alipay Odbieranie: natychmiast. |
Możesz wybrać poniższe opcje wysyłki, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży, aby sprawdzić koszty wysyłki na swój adres.
Jeśli nie chcesz korzystać z naszej usługi wysyłkowej, możesz również zorganizować odbiór z naszego magazynu lub wysyłkę za pomocą konta kuriera.
 |
DHL EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
FEDEX EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
UPS EXPRESS Czas dostawy: 2-4 dni. |
 |
TNT EXPRESS Czas dostawy: 3-6 dni. |
 |
EMS EXPRESS Czas dostawy: 7-10 dni. |
Powiązany produkt
-
ObrazekMfg. Numer częściProducenciKrótki opisDane techniczneW magazynieCena przedmiotuZamówienie online -
TPH3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 40V 92A TSONPobieranieWidokUS$ 0.28Zapytanie ofertowe -
TPH3208LDGTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88PobieranieWidokUS$ 7.747Zapytanie ofertowe -
TPH3R003PL,LQToshiba Semiconductor and StorageX35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPobieranieWidokUS$ 0.455Zapytanie ofertowe -
TPH3207WSTransphormGAN FET 650V 50A TO247PobieranieWidokUS$ 23.724Zapytanie ofertowe -
TPH3208LSTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88PobieranieWidokUS$ 7.91Zapytanie ofertowe -
TPH3206PSTransphormGAN FET 600V 17A TO220PobieranieWidokUS$ 6.364Zapytanie ofertowe -
TPH3206PSBTransphormGAN FET 650V 16A TO220WidokUS$ 6.445Zapytanie ofertowe -
TPH60R6ATOSHIBATPH60R6A TOSHIBA SMD or Through Hole New in stockWidokZapytanie ofertowe -
TPH4R50ANH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 100V 60A SOP ADVPobieranieWidokUS$ 1.242Zapytanie ofertowe -
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 150V 18A 8-SOPPobieranieWidokUS$ 0.652Zapytanie ofertowe -
TPH4R606NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADVPobieranieWidokUS$ 0.839Zapytanie ofertowe -
TPH40R4TOSHIBANew Stocks TPH40R4 TOSHIBA SMD or Through HoleWidokZapytanie ofertowe -
TPH4R003NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 63A 8SOPPobieranieWidokUS$ 0.379Zapytanie ofertowe -
TPH4R008NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 80V 60A SOP ADVPobieranieWidokUS$ 1.242Zapytanie ofertowe -
TPH5900CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 150V 9A 8SOPPobieranieWidokUS$ 0.484Zapytanie ofertowe -
TPH3208LDTransphormGAN FET 650V 20A PQFN88PobieranieWidokUS$ 7.91Zapytanie ofertowe -
TPH3208PSTransphormGAN FET 650V 20A TO220PobieranieWidokUS$ 7.031Zapytanie ofertowe -
TPH5R906NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADVPobieranieWidokUS$ 0.689Zapytanie ofertowe -
TPH5200FNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 250V 26A SOP8PobieranieWidokUS$ 1.171Zapytanie ofertowe -
TPH3212PSTransphormGAN FET 650V 27A TO220PobieranieWidokUS$ 11.23Zapytanie ofertowe
Dystrybutor Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. tworzy wydajne analogowe układy scalone (IC), które rozwiązują krytyczne problemy firm elektronicznych. Nasze autorskie produkty oferują unikalne połączenie cech i wydajności, których nie można znaleźć w innym miejscu na rynku analogowym. Nasze produkty z drugiego źródła są kompatybilne z pinami i są identyczne z konkurencyjną ofertą, stanowiąc idealną alternatywę dla trudnych do zabezpieczenia produktów pochodzących z wyłącznych źródeł. Założona w 2010 roku firma Touchstone ma siedzibę w Milpitas w Kalifornii. Jej inwestorami są Opus Capital i Khosla Ventures.
Naszą misją w Touchstone Semiconductor jest projektowanie wydajnych analogowych układów scalonych, które pomagają rozwiązać problemy klientów. Robimy to poprzez opracowanie ultra wydajnych analogowych układów scalonych o bardzo niskiej mocy, które zmniejszają zużycie energii w twoich produktach.