Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RJL6013DPE-00#J3
Zdjęcie tylko w celach informacyjnych. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej zdjęć
RJL6013DPE-00#J3
| EXSHINE Part Number: | EX-RJL6013DPE-00#J3 |
|---|---|
| Producent Part Number: | RJL6013DPE-00#J3 |
| Producent / Marka: | Renesas Electronics America |
| Krótki opis: | MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK |
| Stan ołowiu / status RoHS: | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Stan: | 1 |
| Pobierz arkusz danych: | RJL6013DPE-00#J3 |
| Podanie: | - |
| Waga: | - |
| Alternatywna wymiana: | - |
Dostępność w czasie rzeczywistym dla
RJL6013DPE-00#J3
Na stanie: 72950 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
Na stanie: 72950 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
- Opis
- Zapłata
- Wysyłka
- Opakowanie
Parametr produktu
| VGS (th) (Max) @ Id | - |
|---|---|
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 4-LDPAK |
| Seria | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 810 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Strata mocy (max) | 100W (Tc) |
| Opakowania | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SC-83 |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 16 Weeks |
| Numer części producenta | RJL6013DPE-00#J3 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel |
| Cecha FET | - |
| Rozszerzony opis | N-Channel 600V 11A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 600V |
| Opis | MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Inni
| Standardowy pakiet | 1,000 |
|---|
Możesz wybrać poniższe opcje płatności. W razie jakichkolwiek pytań prosimy o kontakt z naszym zespołem sprzedaży.
|
|
T / T (przelew bankowy) Otrzymywanie: 1-4 dni. |
|
|
Paypal Odbieranie: natychmiast. |
|
|
Western Union Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
MoneyGram Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
Alipay Odbieranie: natychmiast. |
Możesz wybrać poniższe opcje wysyłki, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży, aby sprawdzić koszty wysyłki na swój adres.
Jeśli nie chcesz korzystać z naszej usługi wysyłkowej, możesz również zorganizować odbiór z naszego magazynu lub wysyłkę za pomocą konta kuriera.
 |
DHL EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
FEDEX EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
UPS EXPRESS Czas dostawy: 2-4 dni. |
 |
TNT EXPRESS Czas dostawy: 3-6 dni. |
 |
EMS EXPRESS Czas dostawy: 7-10 dni. |
Powiązany produkt
-
ObrazekMfg. Numer częściProducenciKrótki opisDane techniczneW magazynieCena przedmiotuZamówienie online -
RJL6020RenesasRJL6020 Renesas TO-3P new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
RJL6012DPE-00#J3Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 10A LDPAKPobieranieWidokUS$ 1.59Zapytanie ofertowe -
RJL6018DPK-00-T0RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL5020DPK-00-T0RENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6012DPERENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6013DPPRENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL5020DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 500V 38A TO3PPobieranieWidokUS$ 7.93Zapytanie ofertowe -
RJL6013RenesasRJL6013 Renesas TO-263 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
RJL6018DPKRENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6018RenesasRJL6018 Renesas TO-3P new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
RJL6012DPE-00-J3RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6015DPK-00-T0RENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6013DPP-00-T2RENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL5032DPP-M0RENESASRJL5032DPP-M0 RENESAS TO-220FL New in stockWidokZapytanie ofertowe -
RJL6018DPK-00#T0Renesas Electronics AmericaMOSFET N-CH 600V 27A TO3PPobieranieWidokUS$ 6.81Zapytanie ofertowe -
RJL6015RenesasRJL6015 Renesas TO-3P new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
RJL6015DPKRENESASSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL5020DPKRENESASSilicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching ICWidokZapytanie ofertowe -
RJL6013DPERENESASRJL6013DPE RENESAS TO-263 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
RJL6012RenesasRJL6012 Renesas TO-263 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe
Dystrybutor Renesas Electronics America
- RF Digital produkuje szeroką gamę konfigurowalnych modułów bezprzewodowego nadajnika, odbiornika i nadajnika RF, odpowiednich do prawie każdego rodzaju aplikacji. Moduły są w pełni zintegrowane, charakteryzują się wysoką jakością i niskimi kosztami, aby przynieść korzyści każdej aplikacji. Linia produktów RFDuino dostarcza ekspansywną linię modułów, w tym sensory, USB, proto tarcze i inne, aby przetestować Bluetooth Low Energy w środowisku prototypowym plug and play.
Wyszukaj słowo kluczowe
- Renesas Electronics America RJL6013DPE-00#J3
- Arkusz danych RJL6013DPE-00#J3
- Arkusz danych RJL6013DPE-00#J3
- Arkusz danych RJL6013DPE-00#J3 pdf
- Cena RJL6013DPE-00#J3
- Obraz RJL6013DPE-00#J3
- Kup RJL6013DPE-00#J3
- Renesas Electronics America RJL6013DPE-00#J3
- Renesas Technology Corp RJL6013DPE-00#J3
- Renesas RJL6013DPE-00#J3
- RJL6013DPE
- RJL60