Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > GAP3SLT33-220FP
Zdjęcie tylko w celach informacyjnych. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej zdjęć
GAP3SLT33-220FP
| EXSHINE Part Number: | EX-GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| Producent Part Number: | GAP3SLT33-220FP |
| Producent / Marka: | GeneSiC Semiconductor |
| Krótki opis: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Stan ołowiu / status RoHS: | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
| Stan: | New and unused, Original |
| Pobierz arkusz danych: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
| Podanie: | - |
| Waga: | - |
| Alternatywna wymiana: | - |
Dostępność w czasie rzeczywistym dla
GAP3SLT33-220FP
Na stanie: 75210 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
Na stanie: 75210 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni
- Opis
- Zapłata
- Wysyłka
- Opakowanie
Parametr produktu
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 1.7V @ 300mA |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 3300V (3.3kV) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220FP |
| Prędkość | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR) | 0ns |
| Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Inne nazwy | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| Temperatura pracy - złącze | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta | 18 Weeks |
| Numer części producenta | GAP3SLT33-220FP |
| Rozszerzony opis | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
| Typ diody | Silicon Carbide Schottky |
| Opis | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 5µA @ 3300V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 300mA |
| Pojemność @ VR F | 42pF @ 1V, 1MHz |
Inni
| Inne nazwy | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
|---|---|
| Standardowy pakiet | 500 |
Możesz wybrać poniższe opcje płatności. W razie jakichkolwiek pytań prosimy o kontakt z naszym zespołem sprzedaży.
|
|
T / T (przelew bankowy) Otrzymywanie: 1-4 dni. |
|
|
Paypal Odbieranie: natychmiast. |
|
|
Western Union Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
MoneyGram Odbieranie: 1-2 godziny. |
|
|
Alipay Odbieranie: natychmiast. |
Możesz wybrać poniższe opcje wysyłki, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży, aby sprawdzić koszty wysyłki na swój adres.
Jeśli nie chcesz korzystać z naszej usługi wysyłkowej, możesz również zorganizować odbiór z naszego magazynu lub wysyłkę za pomocą konta kuriera.
 |
DHL EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
FEDEX EXPRESS Czas dostawy: 1-3 dni. |
 |
UPS EXPRESS Czas dostawy: 2-4 dni. |
 |
TNT EXPRESS Czas dostawy: 3-6 dni. |
 |
EMS EXPRESS Czas dostawy: 7-10 dni. |
Powiązany produkt
-
ObrazekMfg. Numer częściProducenciKrótki opisDane techniczneW magazynieCena przedmiotuZamówienie online -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through HoleWidokZapytanie ofertowe -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package StockWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2095PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALPobieranieWidokUS$ 295.486Zapytanie ofertowe -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP3SLT33-214GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214PobieranieWidokUS$ 12.448Zapytanie ofertowe -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through HoleWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsWidokZapytanie ofertowe
Dystrybutor GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), założona w 2007 roku, jest zintegrowaną firmą zajmującą się rozwojem i produkcją, dedykowaną produktom opartym na technologiach węgliku krzemu (SiC). Produkty te będą podstawą dla energoelektroniki i przemysłu energetycznego w przyszłych latach, w których potrzebne są zaawansowane technologie w zakresie taniego, wysoce wydajnego wytwarzania, konwersji i transmisji.