Zaloguj Się | Stworzyć moje kontoE-mail: [email protected] SKYPE: EXSHINEKonto | Wyloguj
Zmień kraj
Zmień język

Wybierz język

English简体中文русский한국의PortuguêsItaliaFrançaisDeutschpolskiภาษาไทยespañolالعربيةPilipinoNederlandČeštinaKongeriketSvenskaΕλλάδαMagyarországTiếng ViệtIndonesia
Anuluj
Wózek sklepowy
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice > HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F

Zdjęcie tylko w celach informacyjnych. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej zdjęć

HN3C51F-GR(TE85L,F

EXSHINE Part Number:EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
Producent Part Number:HN3C51F-GR(TE85L,F
Producent / Marka:Toshiba Semiconductor and Storage
Krótki opis:TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Stan ołowiu / status RoHS:Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Stan:New and unused, Original
Pobierz arkusz danych:HN3C51F
Podanie:-
Waga:-
Alternatywna wymiana:-
Dostępność w czasie rzeczywistym dla
HN3C51F-GR(TE85L,F
Na stanie: 72164 szt. można wysłać w ciągu 1-2 dni.
Przyszłe zapasy: 12000 sztuk w ciągu 7-10 dni.
Producent Czas realizacji: 8-10 tygodni

Kliknij poniżej, aby zamówić HN3C51F-GR(TE85L,F online

US$ 0

Referencyjna cena marketingowa: N/A

Nasza najlepsza cena: N/A (Email us)

Minimum:1

Wielokrotności:1

Prośba o lepszą cenę >
  • Opis
  • Zapłata
  • Wysyłka 
  • Opakowanie

Parametr produktu

Napięcie - kolektor emiter (Max) 120V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC 300mV @ 1mA, 10mA
Typ tranzystora 2 NPN (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet SM6
Seria -
Moc - Max 300mW
Opakowania Tape & Reel (TR)
Package / Case SC-74, SOT-457
Inne nazwy HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
temperatura robocza 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Numer części producenta HN3C51F-GR(TE85L,F
Częstotliwość - Transition 100MHz
Rozszerzony opis Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Opis TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Obecny - Collector odcięcia (Max) 100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks) 100mA

Inni

Inne nazwy HN3C51F-GR(TE85L,F)

HN3C51F-GR(TE85LF)TR

HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND

HN3C51F-GR(TE85LFTR

HN3C51F-GRTE85LF

HN3C51FGR(TE85LFTR

HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Standardowy pakiet 3,000

Możesz wybrać poniższe opcje płatności. W razie jakichkolwiek pytań prosimy o kontakt z naszym zespołem sprzedaży.

 T / T (przelew bankowy)
 Otrzymywanie: 1-4 dni.

 Paypal
 Odbieranie: natychmiast.

 Western Union
 Odbieranie: 1-2 godziny.

 MoneyGram
 Odbieranie: 1-2 godziny.

 Alipay
 Odbieranie: natychmiast.

Możesz wybrać poniższe opcje wysyłki, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży, aby sprawdzić koszty wysyłki na swój adres.
Jeśli nie chcesz korzystać z naszej usługi wysyłkowej, możesz również zorganizować odbiór z naszego magazynu lub wysyłkę za pomocą konta kuriera.
 DHL EXPRESS
 Czas dostawy: 1-3 dni.
 FEDEX EXPRESS
 Czas dostawy: 1-3 dni.
 UPS EXPRESS
 Czas dostawy: 2-4 dni.
 TNT EXPRESS
 Czas dostawy: 3-6 dni.
 EMS EXPRESS
 Czas dostawy: 7-10 dni.

Powiązany produkt

Obrazek Mfg. Numer części Producenci Krótki opis Dane techniczne W magazynie Cena przedmiotu Zamówienie online
HN3C61 TOSHIBA HN3C61 SSOP6 Original Package Stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C6F TOSHIBA HN3C6F SMD or Through Hole Original Package Stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C51F NOPB TOSHIBA HN3C51F NOPB TOSHIBA SOT163 New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C61FU TOS HN3C61FU SOT23 Original Package Stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C15FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C56 TOSHIBA HN3C56 TOSHIBA SSOP6 New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C16FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C16FT TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C17FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C18FU TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C51F TOSHIBA HN3C51F TOSHIBA SC-74 New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C51F-GR TOSHIBA HN3C51F-GR TOSHIBA SOT23-6 New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C67FE TOSHIBA HN3C67FE SOT-563 Original Package Stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C51F-BL(TE85L,F Image HN3C51F-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 Pobieranie Widok   Zapytanie ofertowe
HN3CO1F LRC HN3CO1F LRC SOP20W New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3G015-GR ORIGINAL HN3G015-GR ORIGINAL SMD or Through Hole New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C18FT TOSHIBA NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) IC Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C56FU TOSHIBA HN3C56FU TOSHIBA SOT-363 New in stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3C66FU TOSHIBA HN3C66FU SMD or Through Hole Original Package Stock Widok   Zapytanie ofertowe
HN3G01 TOSHIBA N CHANNEL JUNCTION TYPE FET SILICON NPN EPITAXIAL TYPE TRANSISTOR IC Widok   Zapytanie ofertowe

Dystrybutor Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. tworzy wydajne analogowe układy scalone (IC), które rozwiązują krytyczne problemy firm elektronicznych. Nasze autorskie produkty oferują unikalne połączenie cech i wydajności, których nie można znaleźć w innym miejscu na rynku analogowym. Nasze produkty z drugiego źródła są kompatybilne z pinami i są identyczne z konkurencyjną ofertą, stanowiąc idealną alternatywę dla trudnych do zabezpieczenia produktów pochodzących z wyłącznych źródeł. Założona w 2010 roku firma Touchstone ma siedzibę w Milpitas w Kalifornii. Jej inwestorami są Opus Capital i Khosla Ventures.
Naszą misją w Touchstone Semiconductor jest projektowanie wydajnych analogowych układów scalonych, które pomagają rozwiązać problemy klientów. Robimy to poprzez opracowanie ultra wydajnych analogowych układów scalonych o bardzo niskiej mocy, które zmniejszają zużycie energii w twoich produktach.

Wyszukaj słowo kluczowe

  • Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Arkusz danych HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Arkusz danych HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Arkusz danych HN3C51F-GR(TE85L,F pdf
  • Cena HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Obraz HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Kup HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
  • Toshiba HN3C51F-GR(TE85L,F
  • HN3C51F
  • HN3C5